整流二极管的结构原理
整流二极管是由一个面接触 PN构造成的结型硅半导体器件。此 PN结并非是将P 型半导体和N型半导体举行单纯的机械压抑或欧姆接触措施制成，而是靠严厉的制造工艺措施，用合金法在高温下拆开构成，并且在拆开工艺过程中发生着一系列“空穴”与“电子”拆开行动，在此不予详述。由于结型二极管属于面接触型，和点接触型二极管相比拟，批准穿越的电流成数倍或数十增加添，因而等闲称之为整流二极管或硅平面二极管。
整流二极管的工作原理
(a)结构的整流二极管NCaAs两端 对平行的电极上施加反偏直流电场在开始时,跟普通的电阻样,电流线性增加;但当平均电场超过狄X/cm时,电流开始减少,并引起频率非常高(料GHz)的电流振荡.此时的振荡周期约为传导电子通过器件长度的扫 描时，
(b)结构的IMPArT二极管,在NˉGaAs两端施加反偏直流电场时,特别是高电场部分超过儿自kV/cm时,IMPATT二极管将 引起雪崩现象,所产生的电子、空穴将以约’clll/s的饱和速度穿过高电场区.当在其反偏直流电场上叠加交流电场时,在某种特定的条件下,IMPArT 整流二极管将呈现出负阻现象而引起整流振荡。